本文接著上次的Why用超級(jí)結(jié)MOSFET時(shí)柵極會(huì)振蕩?如何解決? 來繼續(xù)為大家講解如何調(diào)整PCB布局以降低超級(jí)結(jié)MOSFET輻射。

　　最大限度降低器件和印刷電路板(PCB)的寄生電感和電容是重要的設(shè)計(jì)考慮因素，可減少不希望的噪聲。要在不同應(yīng)用中驅(qū)動(dòng)快速開關(guān)超級(jí)結(jié) MOSFET，必須對(duì)器件寄生效應(yīng)影響和PCB布局寄生效應(yīng)影響都了解。設(shè)計(jì)適合快速開關(guān)超級(jí)結(jié)MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)有許多因素需考慮。關(guān)于最大 限度減少不必要的噪聲有幾項(xiàng)主要準(zhǔn)則。

　　在某些情況下，比如輸入電壓瞬變或短路，MOSFET所承受的高di/dt和dv/dt可能會(huì)導(dǎo)致開關(guān)特性異常或器件損壞。圖1顯示的是關(guān)斷瞬 態(tài)期間PFC電路中超級(jí)結(jié)MOSFET的振蕩波形。器件和電路板中的寄生元件毫無疑問是引起不必要振蕩和噪聲的主要原因。在這種情況下，增大柵極電阻能夠 抑制峰值漏源極電壓并防止由超級(jí)結(jié)MOSFET的引腳電感和寄生電容引起的柵極振蕩。而且還能在導(dǎo)通和關(guān)斷期間減緩電壓上升速率(dv/dt)和電流上升 速率(di/dt)。不利的是，額外的外部柵極電阻也會(huì)影響MOSFET中的開關(guān)損耗。隨著工作開關(guān)頻率增大，控制開關(guān)損耗就很重要了，因?yàn)槠骷仨氝_(dá)到 目標(biāo)應(yīng)用所要求的最高效率。

避免振蕩的另一種重要方法是最大限度降低器件和電路板的電感。正確配置柵極驅(qū)動(dòng)電路對(duì)于操作MOSFET的同時(shí)最大限度減少不必要噪聲非常重要。有 兩種柵極驅(qū)動(dòng)器可以考慮。(a)柵極驅(qū)動(dòng)電路最適合快速可變導(dǎo)通和關(guān)斷。盡管實(shí)施起來更為簡(jiǎn)單，但快速關(guān)斷瞬態(tài)和較大的柵極關(guān)斷環(huán)路仍可形成高 di/dt，造成源極電感上的高壓降(Ldi/dt)會(huì)引起柵極振蕩。從而帶來一些副作用，比如出現(xiàn)電壓/電流尖峰或EMI性能惡化。另一種快速導(dǎo)通和快 速關(guān)斷的柵極驅(qū)動(dòng)電路是(b)PNP晶體管關(guān)斷柵極驅(qū)動(dòng)電路。該更為有效的配置可最大限度降低較小柵極驅(qū)動(dòng)環(huán)路中的源極電感，而且仍能實(shí)現(xiàn)快速關(guān)斷。

　　要實(shí)現(xiàn)平衡，重要的是要具有優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)電路，因?yàn)楣β蔒OSFET是柵極控制型器件。下列建議對(duì)于實(shí)現(xiàn)高效率(無電壓尖峰)和低電磁干擾(因快速開關(guān)MOSFET產(chǎn)生)非常重要。

　　快速超級(jí)結(jié)MOSFET的布局準(zhǔn)則概要

　　●要實(shí)現(xiàn)超級(jí)結(jié)MOSFET的最佳性能，需要優(yōu)化的布局

　　●柵極驅(qū)動(dòng)器和Rg必須盡可能地靠近MOSFET柵極引腳。

　　●將電源GND 和柵極驅(qū)動(dòng)器GND分開。

　　●最大限度降低PCB上的寄生電容Cgd和源極電感。

　　●對(duì)于并聯(lián)超級(jí)結(jié)MOSFET，必須采用對(duì)稱布局。

　　●通過增大Rg或使用鐵氧體磁珠減緩dv/dt和di/dt